中国发布修订后的集成电路布图设计保护条例，以应对半导体技术和商业实践快速发展，并更新2001年建立的制度框架。国务院总理李强签署国务院令，条例将于10月15日起施行。
此次修订旨在同时加强布图设计保护和运用，并完善登记管理制度。新规把实践中成熟的做法上升为正式规范，同时推动与中国相关法律和国际条约相衔接。
申请人将面对更明确的创作真实性标准。申请必须以真实创作活动为基础，不得存在弄虚作假行为；申请人须提交原创性声明，所附复制件或图样也必须清楚标明原创部分。
条例建立了不合规申请的驳回程序，并规定可撤销不当取得的登记。对于因不可抗力或其他正当理由丧失的权利，新规也设置了恢复机制。
专有权的赔偿制度得到进一步明确。侵权赔偿将优先依据权利人的实际损失或侵权人的获利来确定；两者难以计算时，可参照许可使用费的合理倍数确定。
严重侵权将适用惩罚性赔偿。该条款提高了故意或情节严重侵权的潜在成本，在弥补可计量损失之外增加威慑作用。
条例还涉及成果运用以及单位内部创作者的权益。有关部门须加强支持布图设计运用的公共服务，法人和非法人组织则应向在其任务安排下完成设计的合格人员给予合理奖励和报酬。
新规细化布图设计权的转让、许可和质押要求，并规范共有权行使以及许可费在共有人之间的分配。10月15日后，主管部门将开展规则宣传、完善配套制度并推动半导体知识产权体系中的有效执行。
